Транзисторы П213 и КТ815

Коэффициент передачи тока.
У транзистора П213 без буквы — от 20 до 50
У транзистора П213А — 20
У транзистора П213Б — 40

Граничная частота передачи тока — от 100 до 150 КГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер30 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный)5 А.

Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 45в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию: У транзисторов П213 0,15 мА.
У транзисторов П213А, П213Б — 1 мА.

Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер 30в и нулевом базовом токе у транзисторов П213 — 20 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении коллектор-эмиттер 30в и сопротивлении база-эмитер 50 Ом- 10 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15в и температуре +25 по Цельсию, у транзисторов П213 — 0,3 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении эмиттер-база 10в — 0,4 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,75 в.

Рассеиваемая мощность коллектора11,5 Вт(на радиаторе).

КТ815 цоколевка

КТ815 изготавливался в корпусах для объемного монтажа КТ-27 (по зарубежной классификации ТО-126):

Сейчас также изготавливают КТ815А9, КТ815Б9, КТ815В9, КТ815Г9 в корпусах для поверхностного монтажа КТ-89 (по зарубежной классификации DPAK):

Технические параметры

КТ815Г является самым мощным, по своим параметрам, транзистором в указанной выше серии. По сравнению со своими “соплеменниками” он способен выдерживает более высокие напряжения (до 100 В), при этом имеет самый низкий статический коэффициент передачи по току H21Э (от 30). Рассмотрим подробнее его максимальные характеристики:

  • напряжение между: К-Э до 100 В (при RЭБ до 100 Ом); Э-Б до 5 В;
  • ток коллектора: постоянный до 1.5 А; импульсный до 3 А;
  • ток базы до 0.5 А;
  • мощность рассеивания на коллекторе: до 10 Вт (c теплоотводом); до 1 Вт (без радиатора);
  • граничная частота коэффициента передачи тока (для схем с общим эмиттером) до 3 МГц;
  • температура: p-n-перехода до +150 О С; диапазон для окружающей среды от -60 до +125 О С;
  • масса до 0.9 гр.

В последнее время бывают случаи, когда коэффициент передачи по току H21Э у разных КТ815Г, взятых даже из одной партии, имеет большой разброс по своим значениям. Из-за этого, многие радиолюбители стараются не применять данное полупроводниковое устройство в своих схемах.

Электрические

Ниже приведен полный перечень основных электрических параметров КТ815Г, согласно технического описания. Он сформирован с учетом тестирования устройства производителем при температуре окружающей среды не более +25 О С. Режимы измерения, указаны в отдельном столбце таблицы.

В основных параметрах КТ815Г производители не указывают значения теплового сопротивления перехода “кристалл-корпус”. Между тем принято считать, что оно составляет (для этой серии) порядка 10 °C/Вт. Если это так, то при указанной в техописании рассеиваемой мощности в 10 Вт, температура кристалла может доходить до 150 °C и устройство чаще всего выходит из строя.

Комплементарная пара

Комплементарной парой с p-n-p-структурой является КТ814Г.

Аналоги

Аналогами популярного КТ815Г, в корпусе ТО-126, являются следующие транзисторы: BD13910STU, BD139-10, TIP29C, TIP61C, BDC01D. Несмотря на идентичность, последние уступают рассматриваемому по максимальному пропускаемому напряжению между выводами К и Э (до 80 В). Похожими по своим параметрам считаются отечественные: КТ817В, КТ8272В, КТ961А. Для устройств в упаковке КТ-89 достойной замены нет.

В последнее время минский «Интеграл» начал выпуск этих транзисторов в корпусе для поверхностного монтажа КТ-89 (он же TO-252/DPAK). Но встретить такое пока можно не часто.

Внутреннее содержание пока неожиданностей не преподнесло. КТ814:


(фото с форума Радиокартинки)


(фото с форума Радиокартинки)

1. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980.
2. Терещук Р. М. и др. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справочник радиолюбителя.- Киев: «Наукова думка», 1981.
3. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К. М. Брежнева, Е. И. Гантман, Т. И. Давыдова и др. Под ред. Б. Л. Перельмана. — М.: Радио и связь, 1981
4. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/В. А. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев и др. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова,— М.: Энергоиздат, 1982.
5. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. и доп.- К.: Технiка, 1984.
6. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник / Б. А. Бородин, В. М. Ломакин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. — М.: Радио и связь, 1985.
7. Нефедов Л. В., Гордеева В. И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1985.
8. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/Под общей редакцией Н. Н. Горюнова. Издание второе, переработанное, — М.: Энергоатомиздат, 1985.
9. Терещук Р. М. и др. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справ. радиолюбителя / В. М. Терещук, К. М. Терещук, С. А. Седов.— 3-е изд., перераб. и доп.- Киев: «Наукова думка», 1987.
10. Транзисторы: Справочник/ О. П. Григорьев, В. Я. Замятин, Б. В. Кондратьев, С. Л. Пожидаев — М.: Радио и связь, 1989.— (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1144)
11. Нефедов А. В., Гордеева В. И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник. — 3-е изд., перераб. и доп.— М.: Радио и связь, 1990. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1154).
12. Полупроводниковые приборы. Справочник. Том XVIII. Транзисторы. Издание второе. — Министерство электронной промышленности СССР.
13. Аксенов А. И. и др. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы: Справочник / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов, А. М. Юшин.— М.: Радио и связь, 1992. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1190).

  • КТ815Б — BD135
  • КТ815В — BD137
  • КТ815Г — BD139

15 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше. Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц.
p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик.
Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

Зарубежные транзисторы тоже разные бывают. Заказывал у китайцев на Алиэкспресс BD139 и BD140, фактически аналоги КТ814 и КТ815. Замучился в пары подбирать по h21э. Чтобы можно было говорить о высокой повторяемости параметров, нужно покупать у западных поставщиков. Но я посмотрел розничные цены на BD139 и BD140 на Mouser Eletronics и мне с них поплохело. За рубежом точно так же для бытовухи транзисторы делаются в Китае, для военных и промышленных нужд в Европе и США. Первые как бог на душу положит, вторые строго по технологии и с тщательным выходным контролем. И в бытовую электронику вторые не попадут никогда, потому как нерентабельно.

Читайте также  Первый закон кирхгофа

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56.
И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Не нашел значения тепловых сопротивлений кристалл — корпус и корпус — охладитель для КТ815, вот для КТ644 (тоже биполярный и в том же корпусе КТ-27): тепловое сопротивление p-n переход – корпус RТп-к = 10°C/Вт, у полевых КП743 в том же корпусе RТп-к = 3,75°C/Вт. Плюс нужно учитывать тепловое сопротивление корпус — охладитель.
Допустим что суммарное тепловое сопротивление кристалл — охладитель 10°C/Вт. Тогда если транзистор будет рассеивать хотя бы 5Вт (а КТ815 может рассеивать до 10Вт), то при температуре охладителя 100°C, температура перехода будет уже 150 °C и кристалл транзистора выйдет из строя.

С этим температурным сопротивлением переход — корпус и корпус очень тонкий момент, вроде транзистор и может рассеивать большую мощность, но пока его не охлаждаешь жидким азотом, то и не может.

Кстати часто такие ошибки в курсовых проектах и даже дипломах встречаются, преподаватели обычно не вникают во всё, а вот на защите может и попасться на глаза.

А ведь действительно подмечено… 35 лет учись, а дураком помрешь! Спасибо, admin подсказал-уточнил. Специально начал ворошить паспорта старых документов и тю-тю такого параметра. Но, в принципе, интересно только теоретически. Практически не встречал охладителей до температуры кипения. Да и не процессоры они, чтоб им водяное охлаждение ставить… там уже тоже отказались от такой идеи.
А шли 515 как стандартные среднемощные, на пару-тройку ватт. Без нечего или маленькой пластинкой радиатора — 2X3 максимум.

У многих транзисторов есть как при постоянной и так при импульсной работе предельные параметры. Как мощность или ток коллекторы. Объясните при какой частоте или скважности, можно понять что наступил импульсный режим, Если переходный какой то интервал этих параметров. т.е. предельные параметры выше чем при постоянной работе но ниже чем в импульсном режиме.

Транзистор КТ 815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы. Параметры КТ 815 транзистора.

Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 2Т8ххх являются аналогами транзисторов КТ8ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада – индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы – площадью от 75 кв.см.

Транзистор КТ815Г

КТ815Г (BD139), Транзистор NPN, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)

Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 3.00
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 10
Корпус KT-27
Производитель Россия

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30.
У транзисторов КТ815Г – от 20.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ815А – 25 в.
У транзисторов КТ815Б – 45 в.
У транзисторов КТ815В – 60 в.
У транзисторов КТ815Г – 80 в.

Максимальный ток коллектора1,5 А постоянный, 3 А – импульсный.

Рассеиваемая мощность коллектора.10 Вт на радиаторе, 1 Вт – без.

Обратный ток колектора.
При напряжении коллектор-база 40 в – 50 мкА

Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц – не более 800 Ом.

Читайте также  Оцинковка кузова своими руками

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
– не более 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
– не более 1,2 в.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и напряжении коллектор-база 5в – 60 пФ.

Граничная частота передачи тока3 МГц.

Аналоги тиристора КУ 202

Зарубежными аналогами тиристора КУ202Н являются ВТХ32S100, H20T15CN, 1N4202. Зарубежные производители не выпускают устройств таких же геометрических размеров, что и КУ202Н, поэтому нужно будет изменить место под монтаж устройства. Следует также учитывать, что их параметры могут незначительно отличаться от рассматриваемого тиристора, например, средний ток может быть равен 7,5 А.

Кроме иностранных устройств можно использовать российский аналог — Т112-10. Как и КУ202Н он имеет металлический корпус и анодный выход под резьбу. Однако его размеры меньше, поэтому монтажное место все равно придется изменить.